- 为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC®数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件在一个封装中集成了dsPIC33 数字信号控制器 （DSC）、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN 或 CAN FD 收发器。这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设计的元件数量，缩小印刷电路板（PCB）尺寸，并降低复杂性。该系列器件的支持资源包括开发板、参考设计、应用笔记和 Micr
- 关键字：dsPIC数字信号控制器MOSFET电机控制
- 在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
- 关键字：QorvoSiCMOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动
- 关键字：英飞凌MOSFETOptiMOS
- Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道的简易性使其对低压变换器（<120 V）和非隔离的负载点更具吸引力。因为无需电荷泵或额外的电压源，高端侧（HS）P沟道MOSFET易于驱动，具有设计简单、节省空间，零件数量少等特点，提升了成本效率。本文通过对N 沟道和P沟道MOSFETs进行比较，介绍Littelfuse P沟道功率
- 关键字：202404P沟道功率MOSFETMOSFET
- 不断提升能效的需求影响着汽车和可再生能源等多个领域的电子应用设计。对于电动汽车 (EV) 而言，更高效率意味着更远的续航里程；而在可再生能源领域，发电效率更高代表着能够更充分地将太阳能或风能转换为电能。图1.在电动汽车和可再生能源领域，对更高效率的不懈追求正推动着设计向前发展这两大领域都广泛采用开关电子器件，因而又催生了更高电压器件的需求。电压和效率之间的关系遵循欧姆定律，也就是说电路中产生的功耗或损耗与电流的平方成正比。同理，当电压加倍时，电路中的电流会减半，因而损耗会降到四分之一。根据这个原理，为了减
- 关键字：高电压高电压转换器逆变器MOSFET电力电子EliteSiC
- 热泵是一种经过验证的、提供安全且可持续供暖的技术，其满足低排放电力要求，是全球迈向安全、可持续供暖的核心技术。尽管逆循环热泵也可以同时满足供暖和制冷的要求，但热泵的主要目标是提供供暖。由于热泵能够回收废热并将其温度提高到更实用的水平，因此在节能方面具有巨大的潜力。系统目标热泵的原理与制冷类似，其大部分技术基于冰箱的设计。2021年，全球约有10%建筑的采暖由热泵来完成，且安装热泵的步伐仍在不断加快。鉴于政府对能源安全的关注以及应对气候变化的承诺，热泵将成为减少由建筑采暖以及热水所产生的碳排放的主要途径。此
- 关键字：热泵供暖IPMMOSFETIGBT
- 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP系列电气隔离栅极驱
- 关键字：STGAPMOSFETIGBT驱动器电气隔离
- 晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。1 晶体管BJT的工作原理让我们从经典的NPN晶体
- 关键字：晶体管BJTMOSFET
- 安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
- 关键字：碳化硅SiCMOSFET
- 3月28日，小米公司正式发布了小米SU7，一共有三款配置，分别是小米SU7 标准版，售价21.59万元；小米SU7 Pro版，售价24.59万元；小米SU7 Max版，售价29.99万元。图片来源：小米公司2021年3月，小米创始人雷军正式宣告小米造车。近三年时间过去，小米SU7正式发布，其相关供应商也浮出水面，既有包括高通、英伟达、博世等国际供应商，也包含了比亚迪、宁德时代、扬杰科技等本土供应链厂商。芯片领域，英伟达为小米汽车提供自动驾驶芯片，小米SU7搭载了英伟达两颗NVIDIA DRIVE Orin
- 关键字：小米汽车碳化硅
- 华泰证券发布研报称，在3月20日-3月22日开展的2024 SEMICON China(上海国际半导体展览会)上，华泰证券与数十家国内外头部半导体企业交流，并参加相关行业论坛，归纳出以下趋势：1)前道设备：下游需求旺盛，国产厂商持续推出新品，完善工艺覆盖度；2)后道设备：AI拉动先进封装需求，测试机国产化提速；3)SiC：2024或是衬底大规模出海与国产8寸元年；4)元宇宙和微显示：硅基OLED有望成为VR设备主流显示方案，AI大模型出现可能推动智慧眼镜等轻量级AR终端快速增长。 华泰证券主要观点如下：
- 关键字：元宇宙ARVR碳化硅先进封装
- 服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅（SiC）、电气隔离和微控制器的服务器电源参考设计技术。该参考方案是电源设计数位电源转换器应用的理想选择，尤其在服务器、数据中心和通信电源的领域。随着人工智能（AI）、5G和物联网（IoT）的推波助澜下，对数位服务的需求持续成长，能源及用电控制是数据中心永续发展需面对的重要课题。STDES-3KWTLCP参考设计适用于3k
- 关键字：意法半导体碳化硅数字电源数位电源电源肯微
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求
- 关键字：功率半导体碳化硅
- 据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
- 关键字：Wolfspeed碳化硅
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，获得了来自公共部门和私营机构的支持，将助力从硅向碳化硅的产业转型，提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工，该中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
- 关键字：芯片制造功率半导体碳化硅
碳化硅 mosfet介绍
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